Transistor de puissance  (30 363 produits)

Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Polarité transistor PNP Fréquence de transition 90 MHz Tension Collecteur Emetteur Max 80...

Transistor MOSFET à canal N, TPCAxxxx, Toshiba

Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Polarité transistor NPN Fréquence de transition 3 MHz Tension Collecteur Emetteur Max 100...

Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor

Les références fabricant avec un préfixe S sont conformes à la norme AEC-Q101 pour l'automobile.

Transistor MOSFET à canal N, séries TK8 et TK9, Toshiba

Les références fabricant avec un préfixe NSV sont conformes à la norme AEC-Q101 pour automobile. Transistors de puissance PNP, ON Semiconductor

Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor

Polarité transistor NPN Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 80 V Gamme de produit - Gain en courant DC hFE 2500 hFE Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de collecteur DC 4 A Nombre d...

Commutation haute vitesseNiveau ESD(HBM) : 2 kV Faible résistance de drain-source RDS(ON) = 1,05 Ω (typ.) (@ VGS = 10 V) RDS(ON) = 1,15 Ω (typ.) (@ VGS = 5 V) RDS(ON) = 1,2 Ω (typ.) (@ VGS = 4,5 V)

Les références fabricant avec un préfixe S sont conformes à la norme AEC-Q101 pour l'automobile.

Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor

Les références fabricant avec un préfixe NSV sont conformes à la norme AEC-Q101 pour automobile. Transistors de puissance NPN, ON Semiconductor

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 100 A Tension Drain Source maximum = 40 V Type de boîtier = TSON Type de montage = CMS Nombre de broches = 8 Résistance Drain Source maximum = 4...

Les références fabricant avec un préfixe S sont conformes à la norme AEC-Q101 pour l'automobile.