st microelectronics  (15 757 produits)

Fabricant: STMicroelectronics Montage: THT Boîtier: TO247 Tension drain-source: 1,2kV Courant du drain: 7,6A Résistance en état de conduction: 620mΩ Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dissip...

Le transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh DM6. Par rapport à la génération rapide MDmesh précédente...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 120 A Tension Drain Source maximum = 80 V Série = STL1 Type de montage = CMS Nombre de broches = 8 Résistance Drain Source maximum = 4,5 E+006 Ω...

Fabricant: STMicroelectronics Montage: SMD Boîtier: SOT223 Tension inverse max.: 0,6kV Courant de conduction max.: 0,8A Courant de conduction: 0,5A courant d'entrée: 0,2mA Courant d'impulsion max.:...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 7 A Tension Drain Source maximum = 7 A Type de boîtier = TO-220 Type de montage = Traversant Nombre de broches = 3 Mode de canal = Enrichissemen...

Ces transistors MOSFET de puissance à canal N haute tension font partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh TM DM6. Par rapport à la génération rapide MDmesh précédente, le DM6 combi...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 48 A Tension Drain Source maximum = 650 V Série = STWA68N65DM6 Type de montage = Traversant Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source maximu...

Fabricant: STMicroelectronics Montage: THT Boîtier: TO220FP Tension drain-source: 600V Courant du drain: 7A Résistance en état de conduction: 0,38Ω Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dissipa...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 15 A Tension Drain Source maximum = 600 V Série = STF Type de montage = Traversant Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source maximum = 0,24 ...

Fabricant: STMicroelectronics Montage: THT Boîtier: TO247 Tension drain-source: 900V Courant du drain: 4A Résistance en état de conduction: 1,1Ω Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dissipatio...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 64 A Tension Drain Source maximum = 650 V Type de boîtier = ACEPACK SMIT Type de montage = CMS Nombre de broches = 3

Fabricant: STMicroelectronics Montage: THT Boîtier: TO247 Tension drain-source: 650V Courant du drain: 8A Résistance en état de conduction: 255mΩ Type de transistor: N-MOSFET Puissance de dissipati...

Canal N MDmesh™, 800 V / 1500 V, STMicroelectronics

Ce dispositif est un transistor MOSFET de puissance à canal N basé sur la technologie de processus vertical innovante MDmesh TM M5 combinée à la disposition horizontale PowerMESH TM bien connue. Le...

Le transistor MOSFET de puissance STMicroelectronics à canal N MDmesh M6 intègre les progrès les plus récents dans la famille MDmesh bien connue et consolidée de MOSFET SJ. La génération précédente...