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VISHAY SI3585CDV-T1-GE3 MOSFET CANAL N/P 20V 3.9A TSOP-6 (3 résultats de recherche) Tension Drain Source Vds, Canal N 20 V Courant de drain continu Id, Canal P 3.9 A Gamme de produit - MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 6 Broche(s) Tension drain source Vds, Canal P 20 V Couran... |
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à partir de € 0,172*
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VISHAY SI4056ADY-T1-GE3 MOSFET CANAL N, 100V 8,3A SOIC (2 résultats de recherche) Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0243 ohm Gamme de produit TrenchFET Gen IV MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surfac... |
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à partir de € 0,341*
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VISHAY RCWE1206R330FKEA RESISTANCE 1206 0R33 1% (1 offre) Gamme de produit RCWE Series Technologie de résistance Couche épaisse Coefficient de température ± 100ppm/°C Puissance 500 mW Type de boîtier de résistance 1206 [3216 Metric] Température de fonctio... |
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VISHAY RCWE1206R510FKEA RESISTANCE 1206 0R51 1% (1 offre) Gamme de produit RCWE Series Technologie de résistance Couche épaisse Coefficient de température ± 100ppm/°C Puissance 500 mW Type de boîtier de résistance 1206 [3216 Metric] Température de fonctio... |
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à partir de € 0,214*
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VISHAY SI4101DY-T1-GE3 MOSFET CANAL P 30V 25,7A SOIC (2 résultats de recherche) Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.005 ohm Gamme de produit TrenchFET MSL MSL 1 - Illimité Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type d... |
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VISHAY RCWE1206R820FKEA RESISTANCE 1206 0R82 1% (1 offre) Gamme de produit RCWE Series Technologie de résistance Couche épaisse Coefficient de température ± 100ppm/°C Puissance 500 mW Type de boîtier de résistance 1206 [3216 Metric] Température de fonctio... |
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à partir de € 0,1954*
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VISHAY SI4126DY-T1-GE3 MOSFET CANAL N, 30V 39A SOIC (1 offre) Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.0022 ohm Gamme de produit Trench Nombre de broches 8 Broche(s) Montage transistor Montage en surface Type de canal Canal N Type de... |
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