Diodes à infrarouge  (1 356 produits)

Fabricant: NTE Electronics Montage: THT Tension inverse max.: 1kV Tension de conduction max.: 1,28V Courant de conduction: 2,9A Construction de semi-conducteur: diode simple Temps d'attente: 150ns ...

Longueur d'onde crête = 940nm Type de boîtier = Câblé Intensité de rayonnement = 32 → 110mW/sr Type de montage = Traversant

Fabricant: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montage: THT Boîtier: DO41 Tension inverse max.: 1kV Courant de conduction max.: 5,4A Tension de conduction max.: 1,1V Courant de conduction: 1A Construction de semi...

Fabricant: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montage: THT Boîtier: DO41 Tension inverse max.: 1kV Courant de conduction max.: 5,4A Tension de conduction max.: 1,1V Courant de conduction: 1A Construction de semi...

Fabricant: STMicroelectronics Montage: THT Boîtier: TO220AB Tension inverse max.: 200V Tension de conduction max.: 1,25V Courant de conduction: 16A Construction de semi-conducteur: catode commune;d...

Longueur d'onde crête = 850nm Type de boîtier = 0805 Intensité de rayonnement = 15mW/sr Type de montage = Montage en surface

Fabricant: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montage: THT Boîtier: DO15 Tension inverse max.: 1kV Courant de conduction max.: 20A Tension de conduction max.: 1,1V Courant de conduction: 3A Construction de semi-...

Longueur d'onde crête = 940nm Type de boîtier = PLCC 2 Intensité de rayonnement = 24mW/sr Type de montage = Montage en surface

Fabricant: ONSEMI Montage: SMD Boîtier: SOT23-3 Tension inverse max.: 24V Courant d'impulsion max.: 5A Tension de claquage: 26,7V courant de fuite: 5µA Genre de la emballage: bande;rouleau Type de ...

Longueur d'onde crête = 950nm Type de boîtier = DIP Intensité de rayonnement = 8mW/sr Type de montage = Traversant Angle de diffusion = ±15° Nombre de LED = 1 Nombre de broches = 2 Dimensions = 5 D...

Fabricant: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montage: THT Boîtier: DO41 Tension inverse max.: 1kV Courant de conduction max.: 10A Tension de conduction max.: 1,7V Courant de conduction: 1A Construction de semi-...

Longueur d'onde crête = 940nm Type de boîtier = Subminiature Flux rayonnant = 55mW Intensité de rayonnement = 145mW/sr Type de montage = Montage en surface Série = VSMY2940

Fabricant: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montage: THT Boîtier: DO41 Tension inverse max.: 0,4kV Courant de conduction max.: 10A Tension de conduction max.: 1,25V Courant de conduction: 1A Construction de se...

Diodes électroluminescentes infrarouges 940 nm haute vitesse de Vishay basées sur la technologie de circuit émetteur de surface GaAlAs avec des intensités rayonnantes extrêmement élevées, une puiss...

Fabricant: NTE Electronics Montage: THT Capacité: 15pF Tension inverse max.: 225V Tension de conduction max.: 1V Courant de conduction: 0,4A Construction de semi-conducteur: diode simple Courant d'...