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Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor

Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor

Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor

Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor

Boîtier SOT23 5 broches (MAX4122/4) Fonctionnement à alimentation simple +2,7 à +6,5 V. Plage de tension de mode commun dentrée rail à rail Commutation de tension de sortie rail à rail Produit à la...

Diodes de redressement à avalanche, Semikron. Diodes de redressement à usage général dotées de caractéristiques de contrôle de tension inverse par avalanche

STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics. Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Transistor MOSFET de puissance à canal N 100 V, Infineon. La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en s...

UL60950-1, cUL, EN60950-1. Série SUTW, 3 à 6 W, Sortie double. La série SUTW de convertisseurs c.c.-c.c. isolés de Cosel est disponible avec une puissance de sortie nominale de 3, 6 ou 10 W. Les co...

Transistor MOSFET de puissance StrongIRFET™, Infineon. La famille StrongIRFET , d'Infineon, est optimisée pour des R ;sub>DS ;/sub>(on) faibles et une intensité de courant élevée. Cette gamme offre...

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics

UL60950-1, cUL, EN60950-1. Série SUTW, 3 à 6 W, Sortie double. La série SUTW de convertisseurs c.c.-c.c. isolés de Cosel est disponible avec une puissance de sortie nominale de 3, 6 ou 10 W. Les co...

Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics

STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics. Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.