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Transistor MOSFET canal N, de 300 à 400 V, Vishay Semiconductor

Transistor MOSFET canal N, TrenchFET jusqu'à Gen III, Vishay Semiconductor

Transistor MOSFET à canal N, série E, facteur de mérite faible, Vishay Semiconductor. Les transistors MOSFET haute tension de la série E de Vishay présentent une résistance à l'état passant maximal...

PLC-INTERFACE, comprenant un module de base PLC-BSC.../21 avec raccordement vissé et relais à semi-conducteurs miniature enfichable, pour montage sur profilé NS 35/7,5, 1 contact NO, entrée : 60 V ...

Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor

Transistor MOSFET à canal N, série E, facteur de mérite faible, Vishay Semiconductor. Les transistors MOSFET haute tension de la série E de Vishay présentent une résistance à l'état passant maximal...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 60 A Tension Drain Source maximum = 60 V Série = TrenchFET Type de montage = CMS Nombre de broches = 8 Résistance Drain Source maximum = 4 mΩ Mo...

2N6661 est un transistor (normalement fermé) à mode denrichissement qui utilise une structure verticale DMOS et un procédé de fabrication éprouvé à grille de silicium. Cette combinaison produit un ...

Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 17,4 A Tension Drain Source maximum = 800 V Type de boîtier = TO-247AC Type de montage = Traversant Nombre de broches = 3 Résistance Drain Sourc...

Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor

Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor

Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 19 A Tension Drain Source maximum = 600 V Type de boîtier = TO-247AC Type de montage = Traversant Nombre de broches = 3 Résistance Drain Source ...

Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor