Pilotes MOSFET/IGBT (818 produits)

Montage: THT Température de travail: 0...70°C Genre de sortie: non inversif Genre de circuit intégré: commande de ports Type de circuit intégré: driver Fréquence: 2MHz Tension de travail: 4,5...18V...

Type de circuit intégré: driver Genre de circuit intégré: low-side;commande de ports Temps d'extinction: 65ns Nombre de canaux: 2 Temps de connection: 85ns Montage: THT Tension d'alimentation: 6......

Topologie: demi-pont MOSFET;demi-pont IGBT Genre de circuit intégré: commande de ports;high-/low-side Temps de croissance d'impulsion: 100ns Type de circuit intégré: driver Fabricant: ONSEMI Couran...

Courant de base: -2,3...1,9A Température de travail: -40...125°C Boîtier: SO14 Genre de la emballage: rouleau;bande Temps de croissance d'impulsion: 60ns Nombre de canaux: 1 Type de circuit intégré...

Temps de croissance d'impulsion: 35ns Nombre de canaux: 2 Caractéristiques des circuits intégrés: séparation galvanique Topologie: demi-pont MOSFET;demi-pont IGBT Courant de base: -5...2,5A Genre d...

Genre de circuit intégré: commande de ports;high-/low-side Caractéristiques des circuits intégrés: séparation galvanique Tension d'isolement: 5,7kV Temps de croissance d'impulsion: 35ns Temps de ba...

Temps de baisse d'impulsion: 37ns Genre de la emballage: tube Topologie: demi-pont IGBT;demi-pont MOSFET Genre de circuit intégré: high-/low-side;commande de ports Fabricant: TEXAS INSTRUMENTS Nomb...

Attention! Produit disponible en vente uniquement en quantité disponible en stock. En cas de commande d’une quantité supérieurs, celle-ci sera modifiée en quantité disponible. Tension d'alimentatio...

Temps de connection: 85ns Genre de la emballage: bande;rouleau Temps d'extinction: 65ns Topologie: demi-pont IGBT;demi-pont MOSFET Puissance: 625mW Température de travail: -40...125°C Tension d'ali...

Attention! Produit disponible en vente uniquement en quantité disponible en stock. En cas de commande d’une quantité supérieurs, celle-ci sera modifiée en quantité disponible. Courant de base: -2,2...

Courant de base: -2,3...1,9A Température de travail: -40...125°C Boîtier: SO8 Genre de la emballage: rouleau;bande Nombre de canaux: 1 Type de circuit intégré: driver Temps de croissance d'impulsio...

Temps de baisse d'impulsion: 35ns Fabricant: DIODES INCORPORATED Température de travail: -40...125°C Courant de base: -2,3...1,9A Tension d'alimentation: 10...20V Genre de circuit intégré: commande...

Temps de baisse d'impulsion: 45ns Boîtier: SO8 Genre de la emballage: bande;rouleau Fabricant: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Tension d'alimentation: 10...20V Température de travail: -40...125°C ...

Topologie: demi-pont MOSFET;demi-pont IGBT Montage: SMD Classe de tension: 200V Genre de circuit intégré: low-side;high-side;commande de ports Tension d'alimentation: 10...20V DC Temps de croissanc...

Topologie: demi-pont MOSFET;demi-pont IGBT Genre de circuit intégré: high-side;commande de ports;low-side Température de travail: -40...125°C Courant de base: -500...250mA Montage: SMD Fabricant: O...