MOSFET Données techniques : I(d) : 0.2 A · Puissance (max) P(TOT) : 0.35 W · Température de fonctionnement (max.) : 150 °C · Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-92 · Type de montage : montage à ...
MOSFET Données techniques : I(d) : 10 A · Puissance (max) P(TOT) : 1.4 W · Température de fonctionnement (max.) : 150 °C · Type de boîtier (semi-conducteur) : PowerQFN 2x2 · Type de montage : monta...
MOSFET Données techniques : I(d) : 110 A · Puissance (max) P(TOT) : 45 W · Température de fonctionnement (max.) : 150 °C · Type de boîtier (semi-conducteur) : PowerQFN 5x6 · Type de montage : monta...
MOSFET Données techniques : I(d) : 110 A · Puissance (max) P(TOT) : 71 W · Température de fonctionnement (max.) : 150 °C · Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-252AA · Type de montage : montage e...
MOSFET Données techniques : I(d) : 50 A · Puissance (max) P(TOT) : 85 W · Température de fonctionnement (max.) : 175 °C · Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-220AB · Type de montage : montage à ...
MOSFET Données techniques : I(d) : 4 A · Puissance (max) P(TOT) : 1 W · Température de fonctionnement (max.) : 150 °C · Type de boîtier (semi-conducteur) : SOT-23 · Type de montage : montage en sai...
MOSFET Données techniques : I(d) : -4 A · Puissance (max) P(TOT) : 1 W · Température de fonctionnement (max.) : 150 °C · Type de boîtier (semi-conducteur) : SOT-23 · Type de montage : montage en sa...
MOSFET Données techniques : I(d) : -4 A · Puissance (max) P(TOT) : 1 W · Température de fonctionnement (max.) : 150 °C · Type de boîtier (semi-conducteur) : SOT-23 · Type de montage : montage en sa...
MOSFET Données techniques : I(d) : -4 A · Puissance (max) P(TOT) : 1.4 W · Température de fonctionnement (max.) : 150 °C · Type de boîtier (semi-conducteur) : SOT-23 · Type de montage : montage en ...
MOSFET Infineon Technologies BSP135H6327 Type de boîtier (semi-conducteur): TO-261-4 Conditionnement: 1 pc(s) Type à déplétion du canal N Données techniques : C(ISS) : 146 pF · C(ISS) Tension de ré...
MOSFET Infineon Technologies BSP149 Type de boîtier (semi-conducteur): TO-261-4 Conditionnement: 1 pc(s) Type à déplétion du canal N Données techniques : C(ISS) : 430 pF · C(ISS) Tension de référen...
MOSFET Infineon Technologies BSS123NH Type de boîtier (semi-conducteur): TO-236-3 Conditionnement: 1 pc(s) Type à enrichissement du canal N Données techniques : C(ISS) : 20.9 pF · C(ISS) Tension de...
MOSFET Infineon Technologies BSS138 Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-23 Conditionnement: 1 pc(s) Type à enrichissement du canal N Données techniques : C(ISS) : 27 pF · C(ISS) Tension de référ...
MOSFET Infineon Technologies BSS139 Type de boîtier (semi-conducteur): TO-236-3 Conditionnement: 1 pc(s) Type à déplétion du canal N Données techniques : C(ISS) : 76 pF · C(ISS) Tension de référenc...
MOSFET Infineon Technologies IRF1010NPBF Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220 Conditionnement: 1 pc(s) Un transistor Mosfet est un composant commandé en tension qui peut directement être branc...