Catégories
Compte
Se connecter / S'inscrire
Panier
 
 
 >  >  >  >  >  > Diodes de commutation

  Diodes de commutation (1 130 produits)

Filtrer par:
Filtrer: Prix deà  Mot-clé 
Fonctionnalités
☐
Affichage
☐
☐
☐
☐
Image
Commander
<
Diode, 1A, 600V, To-252GE, 3 broches Dual, 2 paires à cathode commune (2 résultats de recherche) 
Courant direct maximum = 1A Nombre d'éléments par circuit = 2 Tension inverse maximum = 600V Type de boîtier = To-252GE Technologie de diode = Jonction au silicium Nombre de broches = 3
ROHM Semiconductor
RFN10BGE6STL
à partir de € 0,432*
par Pièce
 
 Pièce
Diode, 1A, 600V, To-252GE, 3 broches Dual, 2 paires à cathode commune (1 offre) 
Courant direct maximum = 1A Nombre d'éléments par circuit = 2 Tension inverse maximum = 600V Type de boîtier = To-252GE Technologie de diode = Jonction au silicium Nombre de broches = 3
ROHM Semiconductor
RFN10BGE6STL
à partir de € 0,541*
par Pièce
 
 Pièces
Diode, 300mA, 200V, To-252GE, 3 broches (2 résultats de recherche) 
Courant direct maximum = 300mA Nombre d'éléments par circuit = 1 Tension inverse maximum = 200V Type de boîtier = To-252GE Technologie de diode = Jonction au silicium Nombre de broches = 3
ROHM Semiconductor
RFN3BGE2STL
à partir de € 0,225*
par Pièce
 
 Pièce
Diode, 300mA, 200V, To-252GE, 3 broches (1 offre) 
Courant direct maximum = 300mA Nombre d'éléments par circuit = 1 Tension inverse maximum = 200V Type de boîtier = To-252GE Technologie de diode = Jonction au silicium Nombre de broches = 3
ROHM Semiconductor
RFN3BGE2STL
à partir de € 0,409*
par Pièce
 
 Pièces
Diode, 500mA, 200V, To-252GE, 3 broches (2 résultats de recherche) 
Courant direct maximum = 500mA Nombre d'éléments par circuit = 1 Tension inverse maximum = 200V Type de boîtier = To-252GE Technologie de diode = Jonction au silicium Nombre de broches = 3
ROHM Semiconductor
RFN5BGE2STL
à partir de € 0,249*
par Pièce
 
 Pièce
Diode, 500mA, 200V, To-252GE, 3 broches (1 offre) 
Courant direct maximum = 500mA Nombre d'éléments par circuit = 1 Tension inverse maximum = 200V Type de boîtier = To-252GE Technologie de diode = Jonction au silicium Nombre de broches = 3
ROHM Semiconductor
RFN5BGE2STL
à partir de € 0,749*
par Pièce
 
 Pièces
Diode, 500mA, 600V, To-252GE, 3 broches (2 résultats de recherche) 
Courant direct maximum = 500mA Nombre d'éléments par circuit = 1 Tension inverse maximum = 600V Type de boîtier = To-252GE Technologie de diode = Jonction au silicium Nombre de broches = 3
ROHM Semiconductor
RFN5BGE6STL
à partir de € 0,279*
par Pièce
 
 Pièce
Diode, 500mA, 600V, To-252GE, 3 broches (1 offre) 
Courant direct maximum = 500mA Nombre d'éléments par circuit = 1 Tension inverse maximum = 600V Type de boîtier = To-252GE Technologie de diode = Jonction au silicium Nombre de broches = 3
ROHM Semiconductor
RFN5BGE6STL
à partir de € 0,509*
par Pièce
 
 Pièces
Diode, 1A, 600V, TO-252, 3 broches (2 résultats de recherche) 
Configuration de diode = SimpleA Type de montage = CMS Tension inverse maximum = 600V Type de boîtier = TO-252 Technologie de diode = Jonction au silicium Nombre de broches = 3
ROHM Semiconductor
RFNL10BM6SFHTL
à partir de € 0,501*
par Pièce
 
 Pièce
Diode, 1A, 600V, TO-252, 3 broches (1 offre) 
Configuration de diode = SimpleA Nombre d'éléments par circuit = 1 Tension inverse maximum = 600V Type de boîtier = TO-252 Technologie de diode = Jonction au silicium Nombre de broches = 3
ROHM Semiconductor
RFNL10BM6SFHTL
à partir de € 0,523*
par Pièce
 
 Pièces
Diode de commutation, 30A, 650V, To-247GE-2L (2 résultats de recherche) 
Courant direct maximum = 30A Nombre d'éléments par circuit = 1 Tension inverse maximum = 650V Type de boîtier = To-247GE-2L Technologie de diode = Planaire épitaxial
ROHM Semiconductor
RFS30TZ6SGC13
à partir de € 2,439*
par Pièce
 
 Pièce
Diode de commutation, 30A, 650V, To-247GE-2L (1 offre) 
Courant direct maximum = 30A Nombre d'éléments par circuit = 1 Tension inverse maximum = 650V Type de boîtier = To-247GE-2L Technologie de diode = Planaire épitaxial
ROHM Semiconductor
RFS30TZ6SGC13
à partir de € 2,30*
par Pièce
 
 Pièces
Diode de commutation, 60A, 650V, To-247GE-2L (2 résultats de recherche) 
Courant direct maximum = 60A Nombre d'éléments par circuit = 1 Tension inverse maximum = 650V Type de boîtier = To-247GE-2L Technologie de diode = Planaire épitaxial
ROHM Semiconductor
RFS60TZ6SGC13
à partir de € 3,345*
par Pièce
 
 Pièce
Diode de commutation, 60A, 650V, To-247GE-2L (1 offre) 
Courant direct maximum = 60A Nombre d'éléments par circuit = 1 Tension inverse maximum = 650V Type de boîtier = To-247GE-2L Technologie de diode = Planaire épitaxial
ROHM Semiconductor
RFS60TZ6SGC13
à partir de € 3,231*
par Pièce
 
 Pièce
Diode, 20A, 350V, TO-263, 3 broches (2 résultats de recherche) 
Courant direct maximum = 20A Nombre d'éléments par circuit = 1 Tension inverse maximum = 350V Type de boîtier = TO-263 Nombre de broches = 3
ROHM Semiconductor
RFUH25NS3STL
à partir de € 0,589*
par Pièce
 
 Pièce
>
Produits par page: 10   15   20   50   100    Page: <   1   ..   41   42   43   44   45   46   47   48   49   50   51   ..   76   >
* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
Notre offre s'adresse uniquement aux entreprises, institutions publiques et indépendants.