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ROHM Semiconductor DAP202FMT106 |
à partir de € 0,0319*
par Pièce |
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ROHM Semiconductor DAN202UMTL |
à partir de € 0,0249*
par Pièce |
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ROHM Semiconductor DAN222WMTL |
à partir de € 0,0228*
par Pièce |
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ROHM Semiconductor DAN217WMTL |
à partir de € 0,0227*
par Pièce |
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ROHM Semiconductor DAN217UMTL |
à partir de € 0,0217*
par Pièce |
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Diode de commutation, 30A, 650V, To-247GE-2L (2 résultats de recherche) Courant direct maximum = 30A Nombre d'éléments par circuit = 1 Tension inverse maximum = 650V Type de boîtier = To-247GE-2L Technologie de diode = Planaire épitaxial |
ROHM Semiconductor RFL30TZ6SGC13 |
à partir de € 2,12*
par Pièce |
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Diode de commutation, 30A, 650V, To-247GE-2L (1 offre) Courant direct maximum = 30A Nombre d'éléments par circuit = 1 Tension inverse maximum = 650V Type de boîtier = To-247GE-2L Technologie de diode = Planaire épitaxial |
ROHM Semiconductor RFL30TZ6SGC13 |
à partir de € 2,30*
par Pièce |
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Diode de commutation, 30A, 650V, To-247GE-2L (2 résultats de recherche) Courant direct maximum = 30A Nombre d'éléments par circuit = 1 Tension inverse maximum = 650V Type de boîtier = To-247GE-2L Technologie de diode = Planaire épitaxial |
ROHM Semiconductor RFS30TZ6SGC13 |
à partir de € 2,439*
par Pièce |
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Diode de commutation, 30A, 650V, To-247GE-2L (1 offre) Courant direct maximum = 30A Nombre d'éléments par circuit = 1 Tension inverse maximum = 650V Type de boîtier = To-247GE-2L Technologie de diode = Planaire épitaxial |
ROHM Semiconductor RFS30TZ6SGC13 |
à partir de € 2,30*
par Pièce |
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ROHM Semiconductor RF302LAM2STFTR |
à partir de € 0,207*
par Pièce |
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ROHM Semiconductor RF302LAM2STFTR |
à partir de € 0,187*
par Pièce |
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Diode de commutation, 60A, 650V, To-247GE-2L (2 résultats de recherche) Configuration de diode = SimpleA Nombre d'éléments par circuit = 1 Tension inverse maximum = 650V Type de boîtier = To-247GE-2L Technologie de diode = Planaire épitaxial |
ROHM Semiconductor RFL60TZ6SGC13 |
à partir de € 3,345*
par Pièce |
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Diode de commutation, 60A, 650V, To-247GE-2L (1 offre) Courant direct maximum = 60A Nombre d'éléments par circuit = 1 Tension inverse maximum = 650V Type de boîtier = To-247GE-2L Technologie de diode = Planaire épitaxial |
ROHM Semiconductor RFL60TZ6SGC13 |
à partir de € 3,231*
par Pièce |
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Diode de commutation, 60A, 650V, To-247GE-2L (2 résultats de recherche) Courant direct maximum = 60A Nombre d'éléments par circuit = 1 Tension inverse maximum = 650V Type de boîtier = To-247GE-2L Technologie de diode = Planaire épitaxial |
ROHM Semiconductor RFS60TZ6SGC13 |
à partir de € 3,345*
par Pièce |
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Diode de commutation, 60A, 650V, To-247GE-2L (1 offre) Courant direct maximum = 60A Nombre d'éléments par circuit = 1 Tension inverse maximum = 650V Type de boîtier = To-247GE-2L Technologie de diode = Planaire épitaxial |
ROHM Semiconductor RFS60TZ6SGC13 |
à partir de € 3,231*
par Pièce |
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