Transistors MOSFET (11 919 produits)

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 56 A Tension Drain Source maximum = 1200 V Série = SCT Type de montage = CMS Nombre de broches = 7 Résistance Drain Source maximum = 40 mO Tensi...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 70 A Tension Drain Source maximum = 650 V Série = SCT Type de montage = CMS Nombre de broches = 7 Résistance Drain Source maximum = 30 mO Tensio...

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 51 A Tension Drain Source maximum = 600 V Type de boîtier = 8 x 8LR Type de montage = CMS Nombre de broches = 8 Mode de canal = Enrichissement N...

Tension Drain Source maximum = 110 V Type de boîtier = B4E Type de montage = CMS Nombre de broches = 5 Résistance Drain Source maximum = 1 Ω Tension de seuil maximale de la grille = 3V

Type de canal = Dual N Tension Drain Source maximum = 95 V Type de boîtier = LBB Type de montage = CMS Nombre de broches = 5

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 433 A Tension Drain Source maximum = 40 V Type de boîtier = DFNW8 Type de montage = CMS Nombre de broches = 8 Résistance Drain Source maximum = ...

Tension Drain Source maximum = 65 V Type de boîtier = B4E Type de montage = CMS Nombre de broches = 4 Résistance Drain Source maximum = 1 Ω Tension de seuil maximale de la grille = 2.5V

Le STMicroelectronics XXXX est le transistor FET LDMOS art de pointe conçu pour les applications de communication à large bande et ISM avec des fréquences de HF à 1 GHz. Ce produit trouve également...

Type de canal = N Tension Drain Source maximum = 90 V Type de boîtier = Radiateur à main Type de montage = CMS Nombre de broches = 5 Résistance Drain Source maximum = 1 Ω Tension de seuil maximale ...

Transistors MOSFET RF, STMicroelectronics. Les transistors à fréquence radio sont adaptés aux LDMOS pour les liaisons satellite montantes à bande L et les transistors de puissance DMOS dans des app...

Tension Drain Source maximum = 60 V Type de boîtier = B2 Type de montage = CMS Nombre de broches = 2 Résistance Drain Source maximum = 1 Ω Tension de seuil maximale de la grille = 2.5V

Type de canal = N, P Type de boîtier = QFN 9 Type de montage = CMS Nombre de broches = 31 Mode de canal = Enrichissement Nombre d'éléments par circuit = 1

Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 145 A Tension Drain Source maximum = 650 V Série = SiC Power Type de montage = CMS Nombre de broches = 7 Résistance Drain Source maximum = 0,018...