Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 56 A Tension Drain Source maximum = 1200 V Série = SCT Type de montage = CMS Nombre de broches = 7 Résistance Drain Source maximum = 40 mO Tensi...
Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 70 A Tension Drain Source maximum = 650 V Série = SCT Type de montage = CMS Nombre de broches = 7 Résistance Drain Source maximum = 30 mO Tensio...
Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 51 A Tension Drain Source maximum = 600 V Type de boîtier = 8 x 8LR Type de montage = CMS Nombre de broches = 8 Mode de canal = Enrichissement N...
Tension Drain Source maximum = 65 V Type de boîtier = B4E Type de montage = CMS Nombre de broches = 4 Résistance Drain Source maximum = 1 Ω Tension de seuil maximale de la grille = 2.5V
Tension Drain Source maximum = 110 V Type de boîtier = B4E Type de montage = CMS Nombre de broches = 5 Résistance Drain Source maximum = 1 Ω Tension de seuil maximale de la grille = 3V
Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 433 A Tension Drain Source maximum = 40 V Type de boîtier = DFNW8 Type de montage = CMS Nombre de broches = 8 Résistance Drain Source maximum = ...
Type de canal = N Tension Drain Source maximum = 90 V Type de boîtier = Radiateur à main Type de montage = CMS Nombre de broches = 5 Résistance Drain Source maximum = 1 Ω Tension de seuil maximale ...
Le STMicroelectronics XXXX est le transistor FET LDMOS art de pointe conçu pour les applications de communication à large bande et ISM avec des fréquences de HF à 1 GHz. Ce produit trouve également...
Tension Drain Source maximum = 60 V Type de boîtier = B2 Type de montage = CMS Nombre de broches = 2 Résistance Drain Source maximum = 1 Ω Tension de seuil maximale de la grille = 2.5V
Transistors MOSFET RF, STMicroelectronics. Les transistors à fréquence radio sont adaptés aux LDMOS pour les liaisons satellite montantes à bande L et les transistors de puissance DMOS dans des app...
Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 145 A Tension Drain Source maximum = 650 V Série = SiC Power Type de montage = CMS Nombre de broches = 7 Résistance Drain Source maximum = 0,018...
Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 30 A Tension Drain Source maximum = 1200 V Série = SCT Type de montage = CMS Nombre de broches = 7 Résistance Drain Source maximum = 80 mO Tensi...
Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 30 A Tension Drain Source maximum = 650 V Type de boîtier = PowerPAK 10 x 12 Type de montage = Montage sur CI Nombre de broches = 8 Mode de cana...
Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 39 A Tension Drain Source maximum = 60 V Type de boîtier = SuperSO8 5 x 6 Type de montage = CMS Nombre de broches = 8 Nombre d'éléments par circ...
Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 25 A Tension Drain Source maximum = 750 V Type de boîtier = PowerFLAT 5 x 6 HV Type de montage = CMS Nombre de broches = 4 Mode de canal = Enric...
Modules MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed. Modules MOSFET d'alimentation en carbure de silicium, de Wolfspeed, la division Power de Cree Inc. Ces modules MOSFET SiC sont logés ...
Type de canal = N, P Courant continu de Drain maximum = 400 A Tension Drain Source maximum = 1 200 V Type de boîtier = AG-HYBRIDD-2 Type de montage = Montage à visser
Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 114 A Tension Drain Source maximum = 150 V Type de boîtier = SuperSO8 5 x 6 Type de montage = CMS Nombre de broches = 8 Nombre d'éléments par ci...
Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 23 A Tension Drain Source maximum = 1200 V Série = SCT Type de montage = CMS Nombre de broches = 7 Résistance Drain Source maximum = 105 mO Tens...
Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 230 A Tension Drain Source maximum = 100 V Type de boîtier = SuperSO8 5 x 6 Type de montage = CMS Nombre de broches = 8 Nombre d'éléments par ci...
Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 81 A Tension Drain Source maximum = 1 200 V Type de boîtier = TO-247N Type de montage = CMS Nombre de broches = 3 Mode de canal = Enrichissement...
Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 100 A Tension Drain Source maximum = 171 V Type de boîtier = PowerPAK SO-8 Type de montage = CMS Nombre de broches = 8 Nombre d'éléments par cir...
Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 440 A Tension Drain Source maximum = 40 V Type de boîtier = SO-8 Type de montage = CMS Nombre de broches = 8 Mode de canal = Enrichissement Nomb...
Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 64 A Tension Drain Source maximum = 650 V Type de boîtier = TO-263-7 Type de montage = CMS Nombre de broches = 7 Nombre d'éléments par circuit = 1
Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 50 A Tension Drain Source maximum = 600 V Série = IPDQ60R010S7 Type de montage = CMS Nombre de broches = 22 Résistance Drain Source maximum = 0,...
Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics. Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent ...
Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 334 A Tension Drain Source maximum = 60 V Type de boîtier = SO-8 Type de montage = CMS Nombre de broches = 8 Mode de canal = Enrichissement Nomb...
Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 30,8 A Tension Drain Source maximum = 600 V Type de boîtier = DFN Type de montage = CMS Nombre de broches = 5 Résistance Drain Source maximum = ...
Modules MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed. Modules MOSFET d'alimentation en carbure de silicium, de Wolfspeed, la division Power de Cree Inc. Ces modules MOSFET SiC sont logés ...
Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 116 A Tension Drain Source maximum = 900 V Type de boîtier = TO-247-4L Type de montage = Traversant Nombre de broches = 4 Mode de canal = Enrich...
Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 337 A Tension Drain Source maximum = 80 V Type de boîtier = DFN Type de montage = CMS Nombre de broches = 8 Résistance Drain Source maximum = 1,...
Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 288 A Tension Drain Source maximum = 60 V Série = OptiMOS™ Type de montage = CMS Nombre de broches = 8 Résistance Drain Source maximum = 0,00115...
Le transistor MOSFET à canal N en silicium de Toshiba est doté de propriétés de commutation haute vitesse. Il est principalement utilisé dans les convertisseurs c.c.-c.c. à haut rendement, les régu...
Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 277 A Tension Drain Source maximum = 100 V Type de boîtier = 8 x 8 L Type de montage = CMS Nombre de broches = 4 Mode de canal = Enrichissement ...
Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 29 A Tension Drain Source maximum = 650 V Série = SCT Type de montage = CMS Nombre de broches = 7 Résistance Drain Source maximum = 80 mO Tensio...
Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 135 A Tension Drain Source maximum = 150 V Type de boîtier = DFNW8 Type de montage = CMS Nombre de broches = 8 Résistance Drain Source maximum =...
Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 400 A Tension Drain Source maximum = 1200 V Type de boîtier = En vrac Type de montage = Montage à visser
Type de canal = N Courant continu de Drain maximum = 29 A Tension Drain Source maximum = 650 V Type de boîtier = ThinPAK 8 x 8 Type de montage = CMS Nombre de broches = 5 Nombre d'éléments par circ...
